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FESB16DT-E3/45

FESB16DT-E3/45

僅供參考

型號 FESB16DT-E3/45
PNEDA編號 FESB16DT-E3-45
描述 DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 19,152
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FESB16DT-E3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FESB16DT-E3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
FESB16DT-E3/45, FESB16DT-E3/45數據表 (總頁數: 5, 大小: 141.41 KB)
PDFFES16JT-9HE3/45數據表 封面
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FESB16DT-E3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)16A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果975mV @ 16A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F175pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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Comchip Technology

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

480mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 30V

電容@ Vr,F

20pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

0402 (1006 Metric)

供應商設備包裝

0402/SOD-923F

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

980mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 100V

電容@ Vr,F

25pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-220AA

供應商設備包裝

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

390mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-123F

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工作溫度-結點

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Powerex Inc.

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1400V

電流-平均整流(Io)

2500A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

22µs

當前-反向泄漏@ Vr

200mA @ 1400V

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