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FF100R12KS4HOSA1

FF100R12KS4HOSA1

僅供參考

型號 FF100R12KS4HOSA1
PNEDA編號 FF100R12KS4HOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,146
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF100R12KS4HOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF100R12KS4HOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FF100R12KS4HOSA1, FF100R12KS4HOSA1數據表 (總頁數: 9, 大小: 627.91 KB)
PDFFF100R12KS4HOSA1數據表 封面
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FF100R12KS4HOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置2 Independent
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)150A
功率-最大780W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.7V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce650nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

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200A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

18nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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IGBT類型

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

110A

功率-最大

385W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.4nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP3

供應商設備包裝

SP3

APTGT200SK120D3G

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

1050W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

6mA

輸入電容(Cies)@ Vce

14nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

D-3 Module

供應商設備包裝

D3

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

-

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

160A

功率-最大

625W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.35V @ 15V, 80A

當前-集電極截止(最大值)

25µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

*

IGBT類型

-

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

安裝類型

-

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