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FF200R06KE3HOSA1

FF200R06KE3HOSA1

僅供參考

型號 FF200R06KE3HOSA1
PNEDA編號 FF200R06KE3HOSA1
描述 IGBT MODULE 600V 200A
制造商 Infineon Technologies
單價
1 ---------- $1,107.7586
50 ---------- $1,055.8324
100 ---------- $1,003.9062
200 ---------- $951.9800
400 ---------- $908.7082
500 ---------- $865.4364
庫存 2,957
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF200R06KE3HOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF200R06KE3HOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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FF200R06KE3HOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列C
IGBT類型Trench Field Stop
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)260A
功率-最大680W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.35V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

12.8nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

310W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.6nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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Module

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Infineon Technologies

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配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35A

功率-最大

200W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

800µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.65nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

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輸入電容(Cies)@ Vce

6.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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