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FF200R12KE3B2HOSA1

FF200R12KE3B2HOSA1

僅供參考

型號 FF200R12KE3B2HOSA1
PNEDA編號 FF200R12KE3B2HOSA1
描述 MOD IGBT MED PWR 62MM-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF200R12KE3B2HOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF200R12KE3B2HOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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FF200R12KE3B2HOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)295A
功率-最大1050W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce14nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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功率-最大

350W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

4mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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150A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

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功率-最大

1130W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

10mA

輸入電容(Cies)@ Vce

11nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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2.45V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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