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FF200R12KE4PHOSA1

FF200R12KE4PHOSA1

僅供參考

型號 FF200R12KE4PHOSA1
PNEDA編號 FF200R12KE4PHOSA1
描述 MOD IGBT MED PWR 62MM-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,934
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 2 - 五月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF200R12KE4PHOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF200R12KE4PHOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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FF200R12KE4PHOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型Trench Field Stop
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)200A
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce14nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

105A

功率-最大

355W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

112A

功率-最大

543W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 70A

當前-集電極截止(最大值)

1.1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.26nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-227

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Infineon Technologies

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IGBT類型

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配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

功率-最大

940W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

14nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1400A

功率-最大

3900W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 1400A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

220nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.65V @ 15V, 800A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

97nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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