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FF200R17KE3S4HOSA1

FF200R17KE3S4HOSA1

僅供參考

型號 FF200R17KE3S4HOSA1
PNEDA編號 FF200R17KE3S4HOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 1200V 200A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,354
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 14 - 二月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF200R17KE3S4HOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF200R17KE3S4HOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FF200R17KE3S4HOSA1, FF200R17KE3S4HOSA1數據表 (總頁數: 9, 大小: 662.14 KB)
PDFFF200R17KE3S4HOSA1數據表 封面
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FF200R17KE3S4HOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入-
NTC熱敏電阻-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

9.2nF @ 25V

輸入

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2.5V @ 15V, 1400A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

220nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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功率-最大

63W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 9A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

450A

功率-最大

1600W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

18.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

550A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.6V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

33.7nF @ 30V

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NTC熱敏電阻

No

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