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FF450R07ME4B11BOSA1

FF450R07ME4B11BOSA1

僅供參考

型號 FF450R07ME4B11BOSA1
PNEDA編號 FF450R07ME4B11BOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 600V 450A
制造商 Infineon Technologies
單價
1 ---------- $1,344.8475
50 ---------- $1,281.8078
100 ---------- $1,218.7680
200 ---------- $1,155.7283
400 ---------- $1,103.1952
500 ---------- $1,050.6621
庫存 3,628
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF450R07ME4B11BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF450R07ME4B11BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FF450R07ME4B11BOSA1, FF450R07ME4B11BOSA1數據表 (總頁數: 9, 大小: 706.72 KB)
PDFFF450R07ME4B11BOSA1數據表 封面
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FF450R07ME4B11BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置2 Independent
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)560A
功率-最大1450W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.95V @ 15V, 450A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce27.5nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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制造商

Infineon Technologies

系列

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Trench Field Stop

配置

2 Independent

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

520A

功率-最大

2400W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 450A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

28nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

APTGV50H120BTPG

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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IGBT類型

NPT, Trench Field Stop

配置

Boost Chopper, Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

270W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP6

供應商設備包裝

SP6-P

APTGT50A120T1G

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

277W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP1

供應商設備包裝

SP1

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

功率-最大

81W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.55V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

675pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

Full Bridge Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

功率-最大

160W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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