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FF50R12RT4HOSA1

FF50R12RT4HOSA1

僅供參考

型號 FF50R12RT4HOSA1
PNEDA編號 FF50R12RT4HOSA1
描述 IGBT MODULE 1200V 50A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,354
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF50R12RT4HOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF50R12RT4HOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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FF50R12RT4HOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
功率-最大285W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce2.8nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

功率-最大

280W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.77nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP3

供應商設備包裝

SP3

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IGBT類型

PT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

43A

功率-最大

150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

160A

功率-最大

380W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 80A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.44nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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IGBT類型

-

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

800W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.6nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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