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FFSH3065B-F085

FFSH3065B-F085

僅供參考

型號 FFSH3065B-F085
PNEDA編號 FFSH3065B-F085
描述 650V 30A SIC SBD GEN1.5
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 10,776
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FFSH3065B-F085資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FFSH3065B-F085
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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FFSH3065B-F085規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)37A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 30A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr40µA @ 650V
電容@ Vr,F1260pF @ 1V, 100kHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-2
供應商設備包裝TO-247-2
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

17pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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100V

電流-平均整流(Io)

155mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 80V

電容@ Vr,F

1.5pF @ 0V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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