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FFSP2065BDN-F085

FFSP2065BDN-F085

僅供參考

型號 FFSP2065BDN-F085
PNEDA編號 FFSP2065BDN-F085
描述 SIC DIODE 650V 20A
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 20,772
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FFSP2065BDN-F085資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FFSP2065BDN-F085
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
FFSP2065BDN-F085, FFSP2065BDN-F085數據表 (總頁數: 6, 大小: 222.66 KB)
PDFFFSP2065BDN-F085數據表 封面
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FFSP2065BDN-F085規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)10A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 10A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr40µA @ 650V
電容@ Vr,F421pF @ 1V, 100kHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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供應商設備包裝

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1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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當前-反向泄漏@ Vr

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

300pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

55ns

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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