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FGA120N30DTU

FGA120N30DTU

僅供參考

型號 FGA120N30DTU
PNEDA編號 FGA120N30DTU
描述 IGBT 300V 120A 290W TO3P
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGA120N30DTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGA120N30DTU
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGA120N30DTU, FGA120N30DTU數據表 (總頁數: 9, 大小: 739.75 KB)
PDFFGA120N30DTU數據表 封面
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FGA120N30DTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
當前-集電極(Ic)(最大值)120A
電流-集電極脈沖(Icm)300A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.4V @ 15V, 25A
功率-最大290W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用120nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)21ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝TO-3P

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 150A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

820nC

25°C時的Td(開/關)

115ns/570ns

測試條件

600V, 150A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 70A

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輸入類型

Standard

門禁費用

86nC

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測試條件

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電流-集電極脈沖(Icm)

24A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 6A

功率-最大

75W

開關能量

1.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

20nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/250ns

測試條件

1360V, 6A, 33Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65A

電流-集電極脈沖(Icm)

72A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 24A

功率-最大

250W

開關能量

115µJ (on), 600µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

75nC

25°C時的Td(開/關)

41ns/104ns

測試條件

400V, 24A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

89ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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