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FGA25S125P

FGA25S125P

僅供參考

型號 FGA25S125P
PNEDA編號 FGA25S125P
描述 IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGA25S125P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGA25S125P
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGA25S125P, FGA25S125P數據表 (總頁數: 7, 大小: 627.78 KB)
PDFFGA25S125P數據表 封面
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FGA25S125P規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1250V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
電流-集電極脈沖(Icm)75A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.35V @ 15V, 25A
功率-最大250W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用204nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝TO-3PN

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電流-集電極脈沖(Icm)

8A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 2A

功率-最大

25W

開關能量

260µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

7.8nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/300ns

測試條件

800V, 2A, 150Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

電流-集電極脈沖(Icm)

370A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 100A

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開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

470nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/275ns

測試條件

600V, 100A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 30A

功率-最大

188W

開關能量

870µJ (on), 300µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

70nC

25°C時的Td(開/關)

24ns/159ns

測試條件

400V, 30A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

75ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 6A

功率-最大

77W

開關能量

56µJ (on), 122µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19.5nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/75ns

測試條件

400V, 6A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

74ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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