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FGA90N30DTU

FGA90N30DTU

僅供參考

型號 FGA90N30DTU
PNEDA編號 FGA90N30DTU
描述 IGBT 300V 90A 219W TO3P
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,068
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 14 - 二月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGA90N30DTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGA90N30DTU
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGA90N30DTU, FGA90N30DTU數據表 (總頁數: 9, 大小: 833.08 KB)
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FGA90N30DTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
當前-集電極(Ic)(最大值)90A
電流-集電極脈沖(Icm)220A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.4V @ 15V, 20A
功率-最大219W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用87nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)21ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝TO-3P

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 15A

功率-最大

217W

開關能量

1.55mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

75nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/260ns

測試條件

600V, 15A, 35Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

電流-集電極脈沖(Icm)

220A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.4V @ 15V, 20A

功率-最大

430W

開關能量

15.5mJ (on), 4.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

110nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/238ns

測試條件

1500V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

1.7µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

供應商設備包裝

TO-268

制造商

IXYS

系列

GenX3™

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

400A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.45V @ 15V, 60A

功率-最大

200W

開關能量

1.4mJ (on), 3.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

230nC

25°C時的Td(開/關)

31ns/320ns

測試條件

480V, 50A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

140ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 35A

功率-最大

250W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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53nC

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