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FGB20N6S2D

FGB20N6S2D

僅供參考

型號 FGB20N6S2D
PNEDA編號 FGB20N6S2D
描述 IGBT 600V 28A 125W TO263AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,510
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGB20N6S2D資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGB20N6S2D
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGB20N6S2D, FGB20N6S2D數據表 (總頁數: 9, 大小: 226.34 KB)
PDFFGP20N6S2D數據表 封面
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FGB20N6S2D規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)28A
電流-集電極脈沖(Icm)40A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 7A
功率-最大125W
開關能量25µJ (on), 58µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用30nC
25°C時的Td(開/關)7.7ns/87ns
測試條件390V, 7A, 25Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)31ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.75V @ 15V, 3A

功率-最大

65W

開關能量

55µJ (on), 85µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/72ns

測試條件

390V, 3A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 25A

功率-最大

200W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 30A

功率-最大

300W

開關能量

3.47mJ (on), 2.16mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

87nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/127ns

測試條件

960V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

供應商設備包裝

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

290A

電流-集電極脈沖(Icm)

800A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 160A

功率-最大

940W

開關能量

3.5mJ (on), 1.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

422nC

25°C時的Td(開/關)

52ns/197ns

測試條件

400V, 80A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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