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FGD3050G2V

FGD3050G2V

僅供參考

型號 FGD3050G2V
PNEDA編號 FGD3050G2V
描述 IGBT 500V 27A DPAK-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,110
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGD3050G2V資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGD3050G2V
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGD3050G2V, FGD3050G2V數據表 (總頁數: 9, 大小: 593.41 KB)
PDFFGD3050G2V數據表 封面
FGD3050G2V數據表 頁面 2 FGD3050G2V數據表 頁面 3 FGD3050G2V數據表 頁面 4 FGD3050G2V數據表 頁面 5 FGD3050G2V數據表 頁面 6 FGD3050G2V數據表 頁面 7 FGD3050G2V數據表 頁面 8 FGD3050G2V數據表 頁面 9

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FGD3050G2V規格

制造商ON Semiconductor
系列*
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
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功率-最大

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開關能量

9.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

78nC

25°C時的Td(開/關)

45ns/400ns

測試條件

1360V, 16A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

48A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 8A

功率-最大

125W

開關能量

460µJ (on), 180µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

13.3nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/40ns

測試條件

450V, 8A, 30Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

75A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 25A

功率-最大

365W

開關能量

1.59mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

60.7nC

25°C時的Td(開/關)

-/324ns

測試條件

600V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PG-TO247-3

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

48A

電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 24A

功率-最大

150W

開關能量

2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

75nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/450ns

測試條件

480V, 24A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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