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FGH20N6S2

FGH20N6S2

僅供參考

型號 FGH20N6S2
PNEDA編號 FGH20N6S2
描述 IGBT 600V 28A 125W TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,064
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGH20N6S2資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGH20N6S2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGH20N6S2, FGH20N6S2數據表 (總頁數: 8, 大小: 179.48 KB)
PDFFGP20N6S2數據表 封面
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FGH20N6S2規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)28A
電流-集電極脈沖(Icm)40A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 7A
功率-最大125W
開關能量25µJ (on), 58µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用30nC
25°C時的Td(開/關)7.7ns/87ns
測試條件390V, 7A, 25Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電流-集電極脈沖(Icm)

20A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

6V @ 15V, 5A

功率-最大

140W

開關能量

380µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

29nC

25°C時的Td(開/關)

46ns/190ns

測試條件

850V, 10A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 5A

功率-最大

65W

開關能量

55µJ (on), 85µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/72ns

測試條件

390V, 5A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

22ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 60A

功率-最大

300W

開關能量

1.07mJ (on), 1.49mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

169nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

600V, 25A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

300ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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制造商

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

18A

電流-集電極脈沖(Icm)

105A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

50W

開關能量

430µJ (on), 350µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

30nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/80ns

測試條件

400V, 20A, 20Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

30ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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1.7V @ 15V, 24A

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