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FGH20N6S2D

FGH20N6S2D

僅供參考

型號 FGH20N6S2D
PNEDA編號 FGH20N6S2D
描述 IGBT 600V 28A 125W TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGH20N6S2D資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGH20N6S2D
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGH20N6S2D, FGH20N6S2D數據表 (總頁數: 9, 大小: 226.34 KB)
PDFFGH20N6S2D數據表 封面
FGH20N6S2D數據表 頁面 2 FGH20N6S2D數據表 頁面 3 FGH20N6S2D數據表 頁面 4 FGH20N6S2D數據表 頁面 5 FGH20N6S2D數據表 頁面 6 FGH20N6S2D數據表 頁面 7 FGH20N6S2D數據表 頁面 8 FGH20N6S2D數據表 頁面 9

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FGH20N6S2D規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)28A
電流-集電極脈沖(Icm)40A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 7A
功率-最大125W
開關能量25µJ (on), 58µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用30nC
25°C時的Td(開/關)7.7ns/87ns
測試條件390V, 7A, 25Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)31ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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42A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 24A

功率-最大

80W

開關能量

240µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

55nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/75ns

測試條件

480V, 24A, 18Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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開關能量

2.6mJ (on), 1.07mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

45nC

25°C時的Td(開/關)

11ns/180ns

測試條件

1250V, 8A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

5ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

85A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 30A

功率-最大

313W

開關能量

1.21mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

180nC

25°C時的Td(開/關)

-/270ns

測試條件

600V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 25A

功率-最大

200W

開關能量

11mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

130nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/650ns

測試條件

960V, 25A, 33Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

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