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FGH40T100SMD

FGH40T100SMD

僅供參考

型號 FGH40T100SMD
PNEDA編號 FGH40T100SMD
描述 IGBT 1000V 80A 333W TO247-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 13,200
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGH40T100SMD資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGH40T100SMD
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGH40T100SMD, FGH40T100SMD數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,976.85 KB)
PDFFGH40T100SMD-F155數據表 封面
FGH40T100SMD-F155數據表 頁面 2 FGH40T100SMD-F155數據表 頁面 3 FGH40T100SMD-F155數據表 頁面 4 FGH40T100SMD-F155數據表 頁面 5 FGH40T100SMD-F155數據表 頁面 6 FGH40T100SMD-F155數據表 頁面 7 FGH40T100SMD-F155數據表 頁面 8 FGH40T100SMD-F155數據表 頁面 9 FGH40T100SMD-F155數據表 頁面 10

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FGH40T100SMD規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1000V
當前-集電極(Ic)(最大值)80A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.3V @ 15V, 40A
功率-最大333W
開關能量2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用265nC
25°C時的Td(開/關)29ns/285ns
測試條件600V, 40A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)78ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

143A

電流-集電極脈沖(Icm)

240A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 47A

功率-最大

625W

開關能量

840µJ (on), 751µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

230nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/158ns

測試條件

400V, 47A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

22ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

供應商設備包裝

TO-264

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

330V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.65V @ 15V, 24A

功率-最大

39W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

46nC

25°C時的Td(開/關)

24ns/89ns

測試條件

196V, 12A, 10Ohm

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電流-集電極脈沖(Icm)

44A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 8A

功率-最大

156W

開關能量

300µJ (on), 285µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

65nC

25°C時的Td(開/關)

7ns/100ns

測試條件

800V, 8A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 40A

功率-最大

238W

開關能量

1.37mJ (on), 250µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

55.5nC

25°C時的Td(開/關)

16.8ns/54.4ns

測試條件

400V, 40A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

101ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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400V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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