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FGL60N100BNTD

FGL60N100BNTD

僅供參考

型號 FGL60N100BNTD
PNEDA編號 FGL60N100BNTD
描述 IGBT 1000V 60A 180W TO264
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 20,496
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGL60N100BNTD資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGL60N100BNTD
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGL60N100BNTD, FGL60N100BNTD數據表 (總頁數: 9, 大小: 511.48 KB)
PDFFGL60N100BNTDTU數據表 封面
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FGL60N100BNTD規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型NPT and Trench
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1000V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.9V @ 15V, 60A
功率-最大180W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用275nC
25°C時的Td(開/關)140ns/630ns
測試條件600V, 60A, 51Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)1.2µs
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝TO-264-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.5V @ 4.5V, 10A

功率-最大

125W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

17nC

25°C時的Td(開/關)

650ns/13.5µs

測試條件

300V, 10A, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 80A

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輸入類型

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門禁費用

345nC

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40ns/90ns

測試條件

300V, 80A, 3.9Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電流-集電極脈沖(Icm)

12A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 4A

功率-最大

75W

開關能量

60µJ (on), 50µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/116ns

測試條件

400V, 4A, 43Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

74A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

250W

開關能量

350µJ (on), 100µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

95nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/165ns

測試條件

400V, 20A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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