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FGY100T65SCDT

FGY100T65SCDT

僅供參考

型號 FGY100T65SCDT
PNEDA編號 FGY100T65SCDT
描述 FS3TIGBT TO247 100A 650V
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,700
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGY100T65SCDT資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGY100T65SCDT
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGY100T65SCDT, FGY100T65SCDT數據表 (總頁數: 8, 大小: 310.54 KB)
PDFFGY100T65SCDT數據表 封面
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FGY100T65SCDT規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)200A
電流-集電極脈沖(Icm)300A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 100A
功率-最大750W
開關能量5.4mJ (on), 3.8mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用157nC
25°C時的Td(開/關)84ns/216ns
測試條件400V, 100A, 4.7Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)62ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 40A

功率-最大

405W

開關能量

420µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

190nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

400V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247

FGB30N6S2

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45A

電流-集電極脈沖(Icm)

108A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 12A

功率-最大

167W

開關能量

55µJ (on), 100µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

23nC

25°C時的Td(開/關)

6ns/40ns

測試條件

390V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB

IRGS6B60KPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

13A

電流-集電極脈沖(Icm)

26A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 5A

功率-最大

90W

開關能量

110µJ (on), 135µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

18.2nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/215ns

測試條件

400V, 5A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D2PAK

FGD2736G3-F085

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

EcoSPARK®

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

360V

當前-集電極(Ic)(最大值)

21A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.65V @ 4.5V, 10A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

18nC

25°C時的Td(開/關)

4µs/15µs

測試條件

14V, 10A, 1000Ohm, 5V

反向恢復時間(trr)

7µs

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

TO-252, (D-Pak)

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

電流-集電極脈沖(Icm)

370A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 100A

功率-最大

830W

開關能量

5.5mJ (on), 5.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

470nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/275ns

測試條件

600V, 100A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PLUS247™-3

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