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FJAF6806DYDTBTU

FJAF6806DYDTBTU

僅供參考

型號 FJAF6806DYDTBTU
PNEDA編號 FJAF6806DYDTBTU
描述 TRANS NPN 750V 6A TO-3PF
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,678
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJAF6806DYDTBTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJAF6806DYDTBTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJAF6806DYDTBTU, FJAF6806DYDTBTU數據表 (總頁數: 5, 大小: 84.87 KB)
PDFFJAF6806DYDTBTU數據表 封面
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FJAF6806DYDTBTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)6A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)750V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic5V @ 1A, 4A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce4 @ 4A, 5V
功率-最大50W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-3PF

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 3V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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