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FJAF6810DTU

FJAF6810DTU

僅供參考

型號 FJAF6810DTU
PNEDA編號 FJAF6810DTU
描述 TRANS NPN 750V 10A TO-3PF
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,148
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJAF6810DTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJAF6810DTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJAF6810DTU, FJAF6810DTU數據表 (總頁數: 5, 大小: 77.78 KB)
PDFFJAF6810DTU數據表 封面
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FJAF6810DTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)750V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 1.5A, 6A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce5 @ 6A, 5V
功率-最大60W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-3PF

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 50mA, 2V

功率-最大

800mW

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

175 @ 2A, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 20mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 5A, 4V

功率-最大

3.5W

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-

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.4V @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 150mA, 10V

功率-最大

5W

頻率-過渡

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工作溫度

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