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FJC1963STF

FJC1963STF

僅供參考

型號 FJC1963STF
PNEDA編號 FJC1963STF
描述 TRANS NPN 30V 3A SOT-89
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,200
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJC1963STF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJC1963STF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJC1963STF, FJC1963STF數據表 (總頁數: 5, 大小: 110.78 KB)
PDFFJC1963RTF數據表 封面
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FJC1963STF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic450mV @ 150mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)500nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce280 @ 500mA, 2V
功率-最大500mW
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝SOT-89-3

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 50mA, 1V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 2mA, 10V

功率-最大

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頻率-過渡

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