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FJD3076TM

FJD3076TM

僅供參考

型號 FJD3076TM
PNEDA編號 FJD3076TM
描述 TRANS NPN 32V 2A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,118
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJD3076TM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJD3076TM
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJD3076TM, FJD3076TM數據表 (總頁數: 5, 大小: 279.12 KB)
PDFFJD3076TM數據表 封面
FJD3076TM數據表 頁面 2 FJD3076TM數據表 頁面 3 FJD3076TM數據表 頁面 4 FJD3076TM數據表 頁面 5

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FJD3076TM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)32V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic800mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce130 @ 500mA, 3V
功率-最大1W
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak

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當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

90V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 750mA, 7.5A

當前-集電極截止(最大值)

1mA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 7.5A, 2V

功率-最大

200W

頻率-過渡

2MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-204AA, TO-3

供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 100µA, 5V

功率-最大

225mW

頻率-過渡

700MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 1A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 1mA, 6V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

SC-72 Formed Leads

供應商設備包裝

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系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 30mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 500mA, 2V

功率-最大

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工作溫度

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