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FJE3303TU

FJE3303TU

僅供參考

型號 FJE3303TU
PNEDA編號 FJE3303TU
描述 TRANS NPN 400V 1.5A TO126
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,210
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJE3303TU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJE3303TU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJE3303TU, FJE3303TU數據表 (總頁數: 6, 大小: 70.98 KB)
PDFFJE3303H2數據表 封面
FJE3303H2數據表 頁面 2 FJE3303H2數據表 頁面 3 FJE3303H2數據表 頁面 4 FJE3303H2數據表 頁面 5 FJE3303H2數據表 頁面 6

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FJE3303TU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 500mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce8 @ 500mA, 2V
功率-最大20W
頻率-過渡4MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126-3

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 5mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

370mV @ 75mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 200mA, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

260V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 1A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

50µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 5A, 5V

功率-最大

200W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

420mW

頻率-過渡

145MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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