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FJN3302RTA

FJN3302RTA

僅供參考

型號 FJN3302RTA
PNEDA編號 FJN3302RTA
描述 TRANS PREBIAS NPN 0.3W TO92-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 404,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJN3302RTA資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJN3302RTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
FJN3302RTA, FJN3302RTA數據表 (總頁數: 7, 大小: 320.57 KB)
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FJN3302RTA數據表 頁面 2 FJN3302RTA數據表 頁面 3 FJN3302RTA數據表 頁面 4 FJN3302RTA數據表 頁面 5 FJN3302RTA數據表 頁面 6 FJN3302RTA數據表 頁面 7

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FJN3302RTA規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡250MHz
功率-最大300mW
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

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當前-集電極截止(最大值)

500nA

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