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FJN4309RTA

FJN4309RTA

僅供參考

型號 FJN4309RTA
PNEDA編號 FJN4309RTA
描述 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,624
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 9 - 三月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJN4309RTA資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJN4309RTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
FJN4309RTA, FJN4309RTA數據表 (總頁數: 7, 大小: 291.65 KB)
PDFFJN4309RTA數據表 封面
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FJN4309RTA規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡200MHz
功率-最大300mW
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

170MHz

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

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ON Semiconductor

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 20mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

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