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FJNS3206RTA

FJNS3206RTA

僅供參考

型號 FJNS3206RTA
PNEDA編號 FJNS3206RTA
描述 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,286
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJNS3206RTA資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJNS3206RTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
FJNS3206RTA, FJNS3206RTA數據表 (總頁數: 4, 大小: 70.1 KB)
PDFFJNS3206RTA數據表 封面
FJNS3206RTA數據表 頁面 2 FJNS3206RTA數據表 頁面 3 FJNS3206RTA數據表 頁面 4

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FJNS3206RTA規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡250MHz
功率-最大300mW
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝TO-92S

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

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4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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