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FJP5021OTU

FJP5021OTU

僅供參考

型號 FJP5021OTU
PNEDA編號 FJP5021OTU
描述 TRANS NPN 500V 5A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 4 - 二月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJP5021OTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJP5021OTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJP5021OTU, FJP5021OTU數據表 (總頁數: 5, 大小: 57.3 KB)
PDFFJP5021OTU數據表 封面
FJP5021OTU數據表 頁面 2 FJP5021OTU數據表 頁面 3 FJP5021OTU數據表 頁面 4 FJP5021OTU數據表 頁面 5

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FJP5021OTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)500V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 600mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 600mA, 5V
功率-最大50W
頻率-過渡18MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 100mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 5A, 3V

功率-最大

100W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 3.3A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

2MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

420MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 6mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5000 @ 6A, 4V

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