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FJP5027RHTU

FJP5027RHTU

僅供參考

型號 FJP5027RHTU
PNEDA編號 FJP5027RHTU
描述 TRANS NPN 800V 3A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 17 - 四月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJP5027RHTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJP5027RHTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJP5027RHTU, FJP5027RHTU數據表 (總頁數: 6, 大小: 240.03 KB)
PDFFJP5027TU數據表 封面
FJP5027TU數據表 頁面 2 FJP5027TU數據表 頁面 3 FJP5027TU數據表 頁面 4 FJP5027TU數據表 頁面 5 FJP5027TU數據表 頁面 6

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FJP5027RHTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)800V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 300mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 200mA, 5V
功率-最大50W
頻率-過渡15MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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系列

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晶體管類型

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

-

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

功率-最大

40W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220

KSD1621RTF

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 75mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

170mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 500mA, 2V

功率-最大

460mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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