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FJP5355TU

FJP5355TU

僅供參考

型號 FJP5355TU
PNEDA編號 FJP5355TU
描述 TRANS NPN 440V 5A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,724
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 23 - 二月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJP5355TU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJP5355TU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJP5355TU, FJP5355TU數據表 (總頁數: 1, 大小: 96.68 KB)
PDFKA317MTU數據表 封面

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FJP5355TU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)440V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 800mA, 2.5A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce7 @ 2.5A, 2V
功率-最大50W
頻率-過渡4MHz
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

400mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10mA, 1V

功率-最大

-

頻率-過渡

400MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 20mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 10mA, 10V

功率-最大

2W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

-

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 250mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 1.5A, 2V

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1W

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 200mA, 2V

功率-最大

2W

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