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FJPF5021R

FJPF5021R

僅供參考

型號 FJPF5021R
PNEDA編號 FJPF5021R
描述 TRANS NPN 500V 5A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJPF5021R資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJPF5021R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJPF5021R, FJPF5021R數據表 (總頁數: 6, 大小: 218.39 KB)
PDFFJPF5021RTU數據表 封面
FJPF5021RTU數據表 頁面 2 FJPF5021RTU數據表 頁面 3 FJPF5021RTU數據表 頁面 4 FJPF5021RTU數據表 頁面 5 FJPF5021RTU數據表 頁面 6

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FJPF5021R規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)500V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 600mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 600mA, 5V
功率-最大40W
頻率-過渡15MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220F

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

1W

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 500mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 500mA, 2V

功率-最大

20W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-126-3

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

225mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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-

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