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FJPF5027RTU

FJPF5027RTU

僅供參考

型號 FJPF5027RTU
PNEDA編號 FJPF5027RTU
描述 TRANS NPN 800V 3A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,352
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJPF5027RTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJPF5027RTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJPF5027RTU, FJPF5027RTU數據表 (總頁數: 6, 大小: 222.86 KB)
PDFFJPF5027TU數據表 封面
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FJPF5027RTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)800V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 300mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 200mA, 5V
功率-最大40W
頻率-過渡15MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220F

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 10mA, 2V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

165mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 5V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 3V

功率-最大

1W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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