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FJV4107RMTF

FJV4107RMTF

僅供參考

型號 FJV4107RMTF
PNEDA編號 FJV4107RMTF
描述 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,200
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJV4107RMTF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJV4107RMTF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
FJV4107RMTF, FJV4107RMTF數據表 (總頁數: 4, 大小: 56.57 KB)
PDFFJV4107RMTF數據表 封面
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FJV4107RMTF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)22 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡200MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

280 @ 300mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.15V @ 8mA, 800mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

250mW

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30 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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