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FJV4114RMTF

FJV4114RMTF

僅供參考

型號 FJV4114RMTF
PNEDA編號 FJV4114RMTF
描述 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,922
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJV4114RMTF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJV4114RMTF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

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FJV4114RMTF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡200MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

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功率-最大

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

100mW

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

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