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FJX3011RTF

FJX3011RTF

僅供參考

型號 FJX3011RTF
PNEDA編號 FJX3011RTF
描述 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,148
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJX3011RTF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJX3011RTF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
FJX3011RTF, FJX3011RTF數據表 (總頁數: 3, 大小: 32.5 KB)
PDFFJX3011RTF數據表 封面
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FJX3011RTF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
電阻-基本(R1)22 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡250MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SC-70 (SOT323)

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電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

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功率-最大

500mW

安裝類型

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 5V

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150mV @ 500µA, 10mA

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