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FJY4010R

FJY4010R

僅供參考

型號 FJY4010R
PNEDA編號 FJY4010R
描述 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,834
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJY4010R資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJY4010R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
FJY4010R, FJY4010R數據表 (總頁數: 4, 大小: 245.21 KB)
PDFFJY4010R數據表 封面
FJY4010R數據表 頁面 2 FJY4010R數據表 頁面 3 FJY4010R數據表 頁面 4

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FJY4010R規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡200MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-89, SOT-490
供應商設備包裝SOT-523F

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10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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80 @ 5mA, 10V

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