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FK4B01110L1

FK4B01110L1

僅供參考

型號 FK4B01110L1
PNEDA編號 FK4B01110L1
描述 CSP SINGLE N-CHANNEL MOSFET
制造商 Panasonic Electronic Components
單價 請求報價
庫存 3,528
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FK4B01110L1資源

品牌 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FK4B01110L1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FK4B01110L1, FK4B01110L1數據表 (總頁數: 6, 大小: 312.09 KB)
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FK4B01110L1規格

制造商Panasonic Electronic Components
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs64mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 118µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.55nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds274pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)340mW (Ta)
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝ALGA004-W-0606-RA01
包裝/箱4-XFLGA, CSP

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

116nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2814pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

202W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4707pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

158W (Tc)

工作溫度

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

725pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.56W (Ta), 2.8W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

33A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1380pF @ 20V

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功耗(最大值)

48W (Tc)

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