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FKI10198

FKI10198

僅供參考

型號 FKI10198
PNEDA編號 FKI10198
描述 MOSFET N-CH 100V 31A TO-220F
制造商 Sanken
單價 請求報價
庫存 4,662
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FKI10198資源

品牌 Sanken
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FKI10198
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FKI10198, FKI10198數據表 (總頁數: 9, 大小: 602.72 KB)
PDFFKI10198數據表 封面
FKI10198數據表 頁面 2 FKI10198數據表 頁面 3 FKI10198數據表 頁面 4 FKI10198數據表 頁面 5 FKI10198數據表 頁面 6 FKI10198數據表 頁面 7 FKI10198數據表 頁面 8 FKI10198數據表 頁面 9

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FKI10198規格

制造商Sanken
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)31A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs17.8mOhm @ 23.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs55.8nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3990pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)40W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

1.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.4mOhm @ 19.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 39W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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PowerPAK® 1212-8

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11810pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

349W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

210A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

111nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8755pF @ 50V

FET功能

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功耗(最大值)

3.5W (Ta), 300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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190W (Tc)

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