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FMBA14

FMBA14

僅供參考

型號 FMBA14
PNEDA編號 FMBA14
描述 TRANS NPN DARL 30V 1.2A SSOT-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,424
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 10 - 四月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FMBA14資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FMBA14
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
FMBA14, FMBA14數據表 (總頁數: 6, 大小: 169.56 KB)
PDFFMBA14數據表 封面
FMBA14數據表 頁面 2 FMBA14數據表 頁面 3 FMBA14數據表 頁面 4 FMBA14數據表 頁面 5 FMBA14數據表 頁面 6

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FMBA14規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)1.2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20000 @ 100mA, 5V
功率-最大700mW
頻率-過渡1.25MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝SuperSOT™-6

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

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功率-最大

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