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FMG2G100US60

FMG2G100US60

僅供參考

型號 FMG2G100US60
PNEDA編號 FMG2G100US60
描述 IGBT MOLDING 600V 100A 7PM-GA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,528
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 21 - 四月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FMG2G100US60資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FMG2G100US60
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FMG2G100US60, FMG2G100US60數據表 (總頁數: 9, 大小: 654.37 KB)
PDFFMG2G100US60數據表 封面
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FMG2G100US60規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
功率-最大400W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce10.84nF @ 30V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱7PM-GA
供應商設備包裝7PM-GA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

450A

功率-最大

2840W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 450A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

68nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24.5A

功率-最大

82W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

600µA

輸入電容(Cies)@ Vce

8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

26A

功率-最大

89W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.55V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

900pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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IGBT類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

140A

功率-最大

480W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

800W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

13.7nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

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