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FMG2G200US60

FMG2G200US60

僅供參考

型號 FMG2G200US60
PNEDA編號 FMG2G200US60
描述 IGBT MOLDING 600V 200A 7PM-HA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 27 - 四月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FMG2G200US60資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FMG2G200US60
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FMG2G200US60, FMG2G200US60數據表 (總頁數: 7, 大小: 726.73 KB)
PDFFMG2G200US60數據表 封面
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FMG2G200US60規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)200A
功率-最大695W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱7PM-HA
供應商設備包裝7PM-HA

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1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

功率-最大

4300W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.4V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

45nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-20°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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制造商

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系列

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IGBT類型

-

配置

Single Chopper

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

9600W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.25V @ 15V, 800A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

100nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

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Module

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Module

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

128A

功率-最大

543W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.04nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

ISOTOP®

制造商

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系列

-

IGBT類型

PT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

360A

功率-最大

1100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 225A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

169A

功率-最大

694W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 160A

當前-集電極截止(最大值)

6mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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