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FMMTH10TC

FMMTH10TC

僅供參考

型號 FMMTH10TC
PNEDA編號 FMMTH10TC
描述 RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,850
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 5 - 二月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FMMTH10TC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FMMTH10TC
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
FMMTH10TC, FMMTH10TC數據表 (總頁數: 2, 大小: 83.58 KB)
PDFFMMTH10TC數據表 封面
FMMTH10TC數據表 頁面 2

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FMMTH10TC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
頻率-過渡650MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)3dB ~ 5dB @ 500MHz
增益-
功率-最大330mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 4mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)25mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5.8V

頻率-過渡

22GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz

增益

12.5dB ~ 26.5dB

功率-最大

230mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 20mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

75V

頻率-過渡

3.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

9dB

功率-最大

34W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 250mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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1.5dB @ 2GHz

增益

12dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 20mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

2 NPN (Dual)

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

8V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz

增益

-

功率-最大

1W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 20mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

12dB

功率-最大

450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 15mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

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