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FMY4AT148

FMY4AT148

僅供參考

型號 FMY4AT148
PNEDA編號 FMY4AT148
描述 TRANS NPN/PNP DARL 50V 5SMT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,534
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FMY4AT148資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FMY4AT148
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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FMY4AT148規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN, PNP Complementary Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 1mA, 6V
功率-最大300mW
頻率-過渡180MHz, 140MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74A, SOT-753
供應商設備包裝SMT5

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 500mA, 4V

功率-最大

4W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 5V

功率-最大

420mW

頻率-過渡

220MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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4 NPN (Quad)

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

650mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA, 100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V, 50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA / 500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V / 210 @ 2mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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