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FP30R06YE3BOMA1

FP30R06YE3BOMA1

僅供參考

型號 FP30R06YE3BOMA1
PNEDA編號 FP30R06YE3BOMA1
描述 MODULE IGBT CBI E2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,426
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FP30R06YE3BOMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FP30R06YE3BOMA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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FP30R06YE3BOMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入-
NTC熱敏電阻-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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300A

功率-最大

2100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.2V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

60nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

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安裝類型

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IGBT類型

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

310W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.6nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

BSM200GB170DLCHOSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

功率-最大

1660W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

15nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

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制造商

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1800A

功率-最大

11500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 1800A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

145nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

700A

功率-最大

1500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.45V @ 15V, 600A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

39nF @ 25V

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Standard

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