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FP75R07N2E4BOSA1

FP75R07N2E4BOSA1

僅供參考

型號 FP75R07N2E4BOSA1
PNEDA編號 FP75R07N2E4BOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 600V 75A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 10 - 二月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FP75R07N2E4BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FP75R07N2E4BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FP75R07N2E4BOSA1, FP75R07N2E4BOSA1數據表 (總頁數: 12, 大小: 746.8 KB)
PDFFP75R07N2E4BOSA1數據表 封面
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FP75R07N2E4BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)95A
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.95V @ 15V, 75A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce4.6nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1000A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 500A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

40nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120A

功率-最大

390W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 77A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

E2

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E2

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制造商

Infineon Technologies

系列

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

370A

功率-最大

1950W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.75V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

20nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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IGBT類型

-

配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

735W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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系列

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IGBT類型

-

配置

Full Bridge Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

功率-最大

210W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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-40°C ~ 125°C

安裝類型

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