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FP7G50US60

FP7G50US60

僅供參考

型號 FP7G50US60
PNEDA編號 FP7G50US60
描述 MODULE IGBT 600V 50A EPM7
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $72.1711
50 ---------- $68.7881
100 ---------- $65.4051
200 ---------- $62.0221
400 ---------- $59.2029
500 ---------- $56.3837
庫存 217
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 2 - 四月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FP7G50US60資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FP7G50US60
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FP7G50US60, FP7G50US60數據表 (總頁數: 10, 大小: 921.91 KB)
PDFFP7G50US60數據表 封面
FP7G50US60數據表 頁面 2 FP7G50US60數據表 頁面 3 FP7G50US60數據表 頁面 4 FP7G50US60數據表 頁面 5 FP7G50US60數據表 頁面 6 FP7G50US60數據表 頁面 7 FP7G50US60數據表 頁面 8 FP7G50US60數據表 頁面 9 FP7G50US60數據表 頁面 10

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FP7G50US60規格

制造商ON Semiconductor
系列Power-SPM™
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
功率-最大250W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce2.92nF @ 30V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱EPM7
供應商設備包裝EPM7

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69A

功率-最大

208W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

800µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

625A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

21nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 40A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

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400A

功率-最大

1500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

27nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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