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FQA18N50V2

FQA18N50V2

僅供參考

型號 FQA18N50V2
PNEDA編號 FQA18N50V2
描述 MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQA18N50V2資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQA18N50V2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQA18N50V2, FQA18N50V2數據表 (總頁數: 8, 大小: 624.42 KB)
PDFFQA18N50V2數據表 封面
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FQA18N50V2規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs265mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs55nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3290pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)277W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3P
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 2.85A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

795pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

92A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.45V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2150pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A (Ta), 192A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

77nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6140pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

700V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

743pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.6mOhm @ 22.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 650µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2520pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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