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FQA62N25C

FQA62N25C

僅供參考

型號 FQA62N25C
PNEDA編號 FQA62N25C
描述 MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 9,228
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQA62N25C資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQA62N25C
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQA62N25C, FQA62N25C數據表 (總頁數: 10, 大小: 2,149.9 KB)
PDFFQA62N25C數據表 封面
FQA62N25C數據表 頁面 2 FQA62N25C數據表 頁面 3 FQA62N25C數據表 頁面 4 FQA62N25C數據表 頁面 5 FQA62N25C數據表 頁面 6 FQA62N25C數據表 頁面 7 FQA62N25C數據表 頁面 8 FQA62N25C數據表 頁面 9 FQA62N25C數據表 頁面 10

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FQA62N25C規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)62A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs130nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6280pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)298W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3PN
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

94mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

132nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2760pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

405pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5.4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

640nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

833W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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