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FQB16N25CTM

FQB16N25CTM

僅供參考

型號 FQB16N25CTM
PNEDA編號 FQB16N25CTM
描述 MOSFET N-CH 250V 15.6A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,498
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQB16N25CTM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQB16N25CTM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQB16N25CTM, FQB16N25CTM數據表 (總頁數: 9, 大小: 761.41 KB)
PDFFQI16N25CTU數據表 封面
FQI16N25CTU數據表 頁面 2 FQI16N25CTU數據表 頁面 3 FQI16N25CTU數據表 頁面 4 FQI16N25CTU數據表 頁面 5 FQI16N25CTU數據表 頁面 6 FQI16N25CTU數據表 頁面 7 FQI16N25CTU數據表 頁面 8 FQI16N25CTU數據表 頁面 9

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FQB16N25CTM規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs270mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs53.5nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1080pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.13W (Ta), 139W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta), 80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

124nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

310W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2970pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 140µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

555pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

41W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D²PAK (TO-263AB)

包裝/箱

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75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.8mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2100pF @ 38V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 7.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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